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G3VM-21ARMOS FET繼電器OMRON用語說明
更新時間:2020-09-15   點(diǎn)擊次數(shù):1026次

小型DIP4針封裝,實(shí)現(xiàn)與機(jī)械式繼電器相當(dāng)?shù)牡蛯?dǎo)通電阻、高容量開關(guān)的MOS FET繼電器

  • 負(fù)載電壓 30V
  • 連續(xù)負(fù)載電流 4A(大)

 大額定值 --- 即使瞬間也不能超過的大值 LED順電流 IF LED順方向連續(xù)通電的電流額定值 重復(fù)峰值LED順電流 IFP LED順方向瞬間通電的電流額定值 直流順電流降低率 ΔIF/℃ 在環(huán)境溫度影響下LED順方向通電的電流降低率 LED逆電壓 VR 陰極、陽極之間施加的逆電壓額定值 (輸入側(cè))接合部溫度 Tj LED接合部允許的溫度額定值 負(fù)載電壓 VOFF OFF狀態(tài)下對繼電器輸出端子間可施加的電壓額定值

外形尺寸 (單位:mm)

印刷基板用端子
質(zhì)量:0.25g
印刷基板用端子?????
※標(biāo)記內(nèi)容與實(shí)際商品有所不同。
 
印刷基板加工尺寸
(Bottom View)
印刷基板加工尺寸?????
 
實(shí)際焊盤尺寸
(推薦值)(TOP VIEW)
實(shí)際焊盤尺寸?????
 
外觀/端子配置/內(nèi)部接線圖
(Top View)
DIP (Dual Inline Package)
DIP4針
外觀/端子配置/內(nèi)部接線圖?????
 
注1: 標(biāo)記內(nèi)容與實(shí)際商品有所不同。
注2: 產(chǎn)品的型號中沒有標(biāo)明“G3VM”。
注3: 1引腳標(biāo)記的對角側(cè)留有沖壓模具沖壓出的印記。
形狀接點(diǎn)結(jié)構(gòu)負(fù)載電壓
(大) *
連續(xù)負(fù)載電流
(大) *
包裝狀態(tài)/桿狀包裝狀態(tài)/帶狀
型號小包裝
單位(個)
型號小包裝
單位(個)
印刷基板用端子表面安裝端子表面安裝端子
DIP41a20 V3 AG3VM-21AR---100------
* 連續(xù)負(fù)載電流 (大)、 負(fù)載電壓 (大) : 表示峰值A(chǔ)C、 DC。
注1. 帶狀包裝(表面安裝端子型) 無標(biāo)準(zhǔn)在庫機(jī)種。
注2. 帶狀包裝(表面安裝端子型) 的訂貨請在型號末尾加上(TR) 或(TR05)。

 大額定值 (Ta = 25ºC)

項目符號定值單位條件


側(cè)
LED正向電流IF30mA 
重復(fù)峰值LED 正向電流IFP1A100μs脈沖、100pps
直流正向電流 降低比率△IF/℃−0.3mA/°CTa ≥ 25°C
LED反向電壓VR5V 
粘合部位溫度TJ125°C 


側(cè)
負(fù)載電壓(峰值A(chǔ)C/DC)VOFF20V 
連續(xù)負(fù)載電流(峰值A(chǔ)C/DC)IO3A 
導(dǎo)通電流降低比率△IO/℃−30mA/°CTa ≥ 25°C
脈沖導(dǎo)通電流Iop9At = 100 ms, Duty = 1/10
粘合部位溫度TJ125°C 
輸入輸出間耐電壓(注1)VI-O2,500VrmsAC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度Ta-40 ~ +85°C無結(jié)冰、無結(jié)露
保存溫度Tstg−55 ~ +125°C
焊接溫度條件260°C10 s


(注1): 測量輸入輸出間的耐電壓時, 分別對LED針腳、 受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。

電氣性能 (Ta = 25ºC)

項目符號標(biāo)準(zhǔn)單位條件


側(cè)
LED正向電 壓VF1.181.331.48VIF = 10 mA
反向電流IR------10μAVR = 5 V
端子間電容CT---70---pFV = 0, f = 1 MHz
觸發(fā)LED正 向電流IFT(IFC)---0.73mAIO = 1 A
復(fù)位LED正 向電流IFC(IFC)0.10.1---mAIOFF = 10 μA


側(cè)
大輸出導(dǎo)
通電阻
RON---4080IF = 5 mA, t < 1s, IO =2 A
開路時漏電流ILEAK------1μAVOFF=20V
端子間電容COFF---300---pFV = 0, f = 1 MHz
輸入輸出間電容CI-O---0.8---pFf = 1 MHz, VS = 0 V
輸出輸入間電容絕緣電阻RI-O1000108---VI-O = 500 VDC,
ROH ≤ 60%
動作時間tON---15msIF = 5 mA, RL = 200 Ω,
VDD = 20 V(注2)
復(fù)位時間tOFF---0.31
(注2): 動作、復(fù)位時間
動作、復(fù)位時間

 

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